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J-GLOBAL ID：201702248591075270   整理番号：17A1003340

高圧下で研究したSi同素体とグループIV包接化合物

Si allotropes and group IV clathrates investigated under high pressures

著者 (3件)： KIM Duck Young (Center for High Pressure Sci. and Technol. Advanced Res., Shanghai, CHN) ,  KIM Duck Young (Carnegie Institution of Washington, Washington, D.C., USA) ,  KUME Tetsuji (Gifu Univ., Gifu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 5S3  ページ： 05FA07.1-05FA07.9  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： sp³で結晶化する新しい材料の最近の研究はSiのフレームワークを開け,そして,他のグループIV元素を再検討した。シリコンの新しい同素体すなわち,オルト菱形構造シリコンSi₂₄の合成と予測特性を研究した。Si₂₄はNa₄Si₂₄前駆体の47°Cの低温度の加熱によってつくられる。第一原理計算に基づいて~1.3 eVのギャップの準直接的バンドギャップ性質が予測された。圧力が重要な役割を演ずるSi,GeまたはSnフレームワーク原子がある包接材料の研究を見直した。高圧下の包接化合物の現象と特性,すなわち,ボリューム崩壊相遷移と非晶質化化をタイプI,II,IIIとVIII構造の,いろいろな包接化合物の調査に基づいて議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  元素 ,  高圧 ,  *包接化合物 ,  第一原理 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 同素体

分類 (1件)： 分子の性質一般  (BH05031D)

引用文献 (81件)：

• C. Kittel, Introduction to Solid State Physics (Wiley, New York, 2004) Chap. 3.
• W. L. Ng, M. A. Lourenço, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).
• T. N. Theis and P. M. Solomon, Science 327, 1600 (2010).
• M. Fujita, Nat. Photonics 7, 264 (2013).
• J. S. Kasper and S. M. Richards, Acta Crystallogr. 17, 752 (1964).

タイトルに関連する用語 (6件)： 高圧 ,  研究 ,  Si ,  同素体 ,  グループ ,  包接化合物