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J-GLOBAL ID：201702248598351520   整理番号：17A1722691

高出力テラヘルツ量子カスケードレーザのための低有効電子質量InGaAs/InAlAs【Powered by NICT】

Low effective electron mass InGaAs/InAlAs for high power terahertz quantum cascade lasers

著者 (11件)： Kainz M. A. (Photonics Institute, TU Wien, Gusshausstras&e 27-29, A-1040 Vienna, Austria) ,  Deutsch C. (Photonics Institute, TU Wien, Gusshausstras&e 27-29, A-1040 Vienna, Austria) ,  Krall M. (Photonics Institute, TU Wien, Gusshausstras&e 27-29, A-1040 Vienna, Austria) ,  Brandstetter M. (Photonics Institute, TU Wien, Gusshausstras&e 27-29, A-1040 Vienna, Austria) ,  Bachmann D. (Photonics Institute, TU Wien, Gusshausstras&e 27-29, A-1040 Vienna, Austria) ,  Schonhuber S. (Photonics Institute, TU Wien, Gusshausstras&e 27-29, A-1040 Vienna, Austria) ,  Detz H. (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Vienna, Austria) ,  MacFarland D. C. (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Vienna, Austria) ,  Andrews A. M. (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Vienna, Austria) ,  Strasser G. (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Vienna, Austria) ,  Unterrainer K. (Photonics Institute, TU Wien, Gusshausstras&e 27-29, A-1040 Vienna, Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子カスケードレーザ(QCL)をテラヘルツに中赤外の周波数範囲をカバーするコヒーレント放射の強力な源である。テラヘルツ周波数範囲で活性領域は通常GaAs_xGa_1xAs半導体ヘテロ構造を用いて実現した。この材料系は障壁と井戸材料の間の大きな格子不整合を導入することなく,障壁層中のAl含有量を変化させることによって可変伝導バンドオフセットを可能にした。標準GaAsベース材料系と比較して,光学利得は低い有効電子質量[1]の増大に伴ってより低い有効電子質量を持つ材料系に基づく活性領域であるテラヘルツQCLの設計に非常に有益である。有効電子質量0.043と0.023のInGaAsあるいはInAsに基づいて,それぞれGaAs(0.067)[2,3]のそれと比較した有望な材料システム。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  コヒーレンス ,  ヒ化インジウム ,  *アルミニウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子カスケードレーザ ,  伝導バンド ,  *ヒ化ガリウム ,  活性部位 ,  *テラヘルツ波 ,  格子不整合 ,  周波数
準シソーラス用語： 光利得 ,  ヘテロ構造 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高出力 ,  テラヘルツ ,  量子カスケードレーザ ,  電子 ,  質量 ,  InGaAs ,  InAlAs