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J-GLOBAL ID：201702248683267317   整理番号：17A1181697

超接合MOSFETボディダイオードの逆回復発振の解析【Powered by NICT】

Analysis of the reverse recovery oscillation of superjunction MOSFET body diode

著者 (2件)： Xue Peng (Beihang University, School of Reliability and System Engineering, 100191 Beijing, China) ,  Fu Guicui (Beihang University, School of Reliability and System Engineering, 100191 Beijing, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 129  ページ： 81-87  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電圧と電流振動が超接合MOSFETボディダイオードの逆回復過渡現象中にしばしば発生する。超接合MOSFETボディダイオードのユニークな逆回復発振特性を明らかにした。実験研究と理論解析に基づいて,種々の逆回復発振機構を明らかにした。まず,利用離散650V/47A超接合MOSFETを用いた,逆回復過渡中の高周波と低周波振動特性は,二重パルス試験により測定した。理論解析の後に,超接合MOSFETボディダイオードはそのドリフト領域注入レベルに依存して種々の振動機構を持っていることが分かった。高レベル注入条件の下で,高周波振動をプラズマ抽出過渡時間(PETT)効果のために起こった。低レベル注入条件下で,ボディダイオードは低周波LC発振におけるsnappy逆回復結果。論文の最後では,高及び低レベル注入条件下で振動挙動は混合モード数値シミュレーションで再現され,シミュレーション結果は,提案した振動機構を検証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プラズマ ,  *MOSFET ,  パルス ,  過渡現象 ,  混合モード ,  HF【周波数】 ,  ドリフト ,  LF【周波数】 ,  電圧 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  理論解析 ,  実験研究 ,  電流振動 ,  *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 超接合 ,  パワーMOSFETボディダイオード ,  逆回復発振 ,  混合モードの数値シミュレーション ,  プラズマ抽出過渡時間振動

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSFET ,  ボディダイオード ,  回復 ,  解析