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J-GLOBAL ID：201702248689992522   整理番号：17A1620648

マクロ多孔質シリコンの不活性気体流内の高温度アニーリング

High-Temperature Annealing of Macroporous Silicon in an Inert-Gas Flow

著者 (4件)： ASTROVA E. V. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  PREOBRAZHENSKIY N. E. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  PAVLOV S. I. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  VORONKOV V. B. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 9  ページ： 1153-1163  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電解質溶液内の単結晶シリコンの陽極酸化によって作製した種々の形態のシリコンの微細構造の焼結を調べ,そして高純度のアルゴンまたは3%の水素を添加したアルゴンで浄化された水平なチューブをもつ炉内でのアニーリングの特徴を明らかにした。マクロ多孔質シリコンを不活性気体の流れの中でアニールすると質量移動,熱的エッチングおよび固体二酸化ケイ素の再堆積が起こる。固体の焼結規則に従うケイ素原子の輸送のために形態とファセッティングが変化する。アニーリングで凹凸両方の表面構造において(111),(100),および(110)面をもつファセッティングを観測した。それらの中で最低表面エネルギーは(111)面に対応す。SiO₂エッチングと堆積の過程はチューブ内の気体の流れ分布に強く依存する。アルゴンに3%の水素を添加した効果はほとんど認められない。

シソーラス用語： *焼結 ,  *材料 ,  *多孔質体 ,  *ケイ素 ,  *アルゴン ,  アノード酸化 ,  *焼なまし ,  二酸化ケイ素 ,  物質移動 ,  堆積 ,  ファセット ,  表面エネルギー ,  エッチング ,  電解質溶液 ,  不活性ガス ,  気体流 ,  *表面構造 ,  水素 ,  添加物効果
準シソーラス用語： *マクロ多孔質材料

分類 (2件)： 熱処理技術  (WC03020T) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： マクロ ,  多孔質シリコン ,  不活性 ,  気体流 ,  高温度 ,  アニーリング