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J-GLOBAL ID：201702248750459689   整理番号：17A0481322

擬二元線GeTe-Sb₂Te₃カルコゲン化物半導体の相変化メモリ薄膜中の電気的性質と輸送機構

Electrical Properties and Transport Mechanisms in Phase Change Memory Thin Films of Quasi-Binary-Line GeTe-Sb₂Te₃ Chalcogenide Semiconductors

著者 (7件)： SHERCHENKOV A. A. (National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS) ,  KOZYUKHIN S. A. (Kurnakov Inst. of General and Inorganic Chemistry, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS) ,  LAZARENKO P. I. (National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS) ,  BABICH A. V. (National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS) ,  BOGOSLOVSKIY N. A. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  SAGUNOVA I. V. (National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS) ,  REDICHEV E. N. (National Res. Univ. Electronic Technol., Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 2  ページ： 146-152  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質から結晶相への急激な転換を利用する相変化メモリは単に不揮発性であるばかりではなく,高速かつ放射線耐性を有する等の利点が指摘されている。擬二元相分離線GeTe-Sb₂Te₃カルコゲン化物半導体であるGe₂Sb₂Te₅,GeSb₂Te₅とGeSb₄Te₇の電気抵抗率の温度依存性と電流電圧特性ベースの相変化メモリ薄膜を調べた。この三元系は目下のところ唯一実用に近づいた相変化メモリを与えるが,その高い状態密度によりFermi面がピン止めされるため通常の半導体では有効であるドーピングによる特性調整が難しい。それに代わる手段として擬二元線に沿った組成変化の効果を薄膜の電気的性質と輸送機構に関して調べた。範囲を分けた三種の異なる電流電圧特性の存在を確認した。キャリア輸送を支配するエネルギー準位の位置と密度を推定した。得た結果は擬二元線GeTe-Sb₂Te₃に沿って動くことで薄膜の電気的性質は大きく変化することを示したが,それは相変化メモリ技術における目標設定にとり重要である。

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *不揮発性メモリ ,  *電気的性質 ,  *輸送現象 ,  エネルギー準位 ,  *アンチモン化合物 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  電流電圧特性 ,  相転移 ,  化合物半導体 ,  化学組成
準シソーラス用語： *キャリア輸送 ,  *テルル化アンチモン ,  *テルル化ゲルマニウム ,  *相変化メモリ

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： GeTe ,  カルコゲン化物 ,  相変化メモリ ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  輸送