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J-GLOBAL ID：201702248805015188   整理番号：17A1708027

統合アノード層イオン源イオンビームスパッタモジュールにより堆積した酸化銀薄膜の制御された酸化状態【Powered by NICT】

Controlled oxidation state of silver oxide thin films deposited by an integrated anode layer ion source ion beam sputter module

著者 (6件)： Chen Ching-Hsiu (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Huang Yu-Ling (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Huang Kai (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Ayalew Ejigu Assamen (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Chao Liang-Chiun (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Ao Jin-Ping (Department of Electrical and Computer Engineering, Institute of Technology and Science, Tokushima University, 2-1 Minami-Josanjima, Tokushima 770-8506, Japan)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 412  ページ： 41-45  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アノード層イオン源を用いた統合イオンビームスパッタ蒸着モジュールを設計し,作製した。酸化銀は,このイオンビームスパッタモジュールを利用した堆積した。実験結果は,Agが酸素部分流量0.8と等しいかそれより高いだけで完全に酸化されたことを示した。700Vの陽極電圧で,(111)優先配向した酸化銀が得られた。(200)配向酸化銀薄膜における1500V結果と陽極電圧を増加させる。二バンドギャップはeVasアノード電圧を700から1500Vに増大することを1.0/2.6eVから2.0/2.8に増加し同定された。アノード電圧が増加すると,XPS分析はAg3d_5/2内殻準位ピーク位置は367.3から367.7eVにシフトすることを示した。これは,スパッタされた原子の増加した運動エネルギーはAg_2OにAgOの部分的減少をもたらすことを確認した。完全酸化された銀酸化物試料がp型であると思われるが,抵抗率は0.7 2.0×10~4Ωcmの範囲であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *イオン源 ,  *酸化 ,  X線光電子スペクトル ,  優先配向 ,  スパッタ蒸着 ,  *イオンビーム ,  *酸化銀 ,  バンドギャップ ,  運動エネルギー ,  電圧 ,  X線光電子分光法 ,  内殻準位 ,  *銀 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： *酸化状態 ,  *銀薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： イオンビームスパッタリング ,  アノード層イオン源 ,  酸化銀 ,  光学的性質

分類 (3件)： 電子源,イオン源  (BD02020U) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  滅菌法  (EG02040C)

タイトルに関連する用語 (9件)： 統合 ,  アノード ,  イオン源 ,  イオンビームスパッタ ,  モジュール ,  堆積 ,  酸化 ,  銀薄膜 ,  酸化状態