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J-GLOBAL ID：201702248837674719   整理番号：17A1645854

六方晶窒化ホウ素クラスタを埋め込んだ2次元グラフェンFETの性能解析【Powered by NICT】

Performance analysis of 2D Graphene FET embedded with hexagonal boron nitride clusters

著者 (5件)： Banerjee Lopamudra (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah - 711103, India) ,  Mukhopadhyay Arnab (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah - 711103, India) ,  Sharma Bikash (Nano device simulation laboratory, Department of ETCE, Jadavpur University, Kolkata - 700 032, India) ,  Sengupta Amretashis (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah - 711103, India) ,  Rahaman Hafizur (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah - 711103, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 491-494  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近焦点は,ハイブリッドナノ材料を作成するための格子整合した不純物を導入することによるグラフェンシートの高性能化している。本研究では,六角形の窒化ホウ素(hBN)単位セルをドープしたグラフェン単分子層シートを研究した。タイトバインディングと非平衡Green関数(NEGF)を用いて,六角形の窒化ホウ素(hBN)クラスタを埋め込んだグラフェンシートのジグザグまたはアームチェア方向の輸送を研究した。4と9hBN単位セルを用いた実験的シミュレーションでは,電子物性が輸送方向にだけでなく,グラフェンシートの単位格子ドーピングのパターンと依存してかなりの変化があることを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不純物 ,  ドーピング ,  *クラスタ ,  ナノ材料 ,  *二次元 ,  格子整合 ,  単分子層 ,  *グラフェン ,  *性能分析 ,  *窒化ホウ素
準シソーラス用語： 単位格子 ,  電子物性 ,  非平衡Green関数 ,  *グラフェンFET ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 六方晶窒化ホウ素 ,  クラスタ ,  2次元 ,  グラフェンFET ,  性能解析