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J-GLOBAL ID:201702248856541639   整理番号:17A0638332

Niナノ粒子を用いた高温実装用素子接合技術の開発

Jointing Technique for Power Semiconductors Using Ni-nanoparticles
著者 (5件):
資料名:
号: 407  ページ: 8-14  発行年: 2017年05月26日 
JST資料番号: G0186A  ISSN: 2187-8196  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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電力変換用機器に用いられているパワー半導体用の素子接合技術として,粒径50~100nmのNiナノ粒子を用いたダイアタッチ材および接合技術の研究を進めている。まず,接合技術の基礎知見として,接合強度および粒子の焼結性を確認した。次に,Niナノ粒子ペーストや接合プロセスの検討により得た最適条件を用いて試験片を作製し,素子動作時の環境を模擬した冷熱サイクル試験,また,加速試験としての高温保持試験を行った。その結果,Niナノ粒子焼結型ダイアタッチは高い信頼性を有していることを明らかにした。(著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (13件):
  • 菅沼克昭(編著):Sic/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術.初版.東京,日刊工業新聞社,2014,p.247
  • Kato, F. et al.: Japanese Journal of Applied Physics. 52 (4). 04CB08 (2013)
  • 両角朗 ほか:富士時報.71(2).135(1998)
  • 藤野純司ほか:MES2016.26.155(2016)
  • Fengqun, L. et al.: Journal of Electronics Materials. 40. 293 (2011)
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