Rogilo D.I. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia について
Rogilo D.I. について
Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia について
Fedina L.I. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia について
Fedina L.I. について
Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia について
Kosolobov S.S. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia について
Kosolobov S.S. について
Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia について
Ranguelov B.S. について
Institute of Physical Chemistry, G. Bonchev Str., building 11, Sofia 1113, Bulgaria について
Latyshev A.V. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia について
Latyshev A.V. について
Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia について
Journal of Crystal Growth について
ケイ素 について
二次元 について
濃度依存性 について
線形性 について
堆積速度 について
核形成 について
不安定性 について
臨界 について
角錐 について
モルフォロジー について
被覆率 について
電流 について
吸着原子 について
テラス について
透過性 について
A1核形成 について
A3分子ビームエピタクシー について
A1表面過程 について
A1形態学的安定性 について
B2半導体シリコン について
半導体薄膜 について
初期 について
成長段階 について
Si について
2次元 について
核形成 について
角錐 について
成長 について
透過性 について
役割 について