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J-GLOBAL ID：201702249066083085   整理番号：17A0399664

初期および後期成長段階でのSi(111)表面上の2次元Si島状核形成:角錐型成長におけるステップ透過性の役割【Powered by NICT】

2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

著者 (9件)： Rogilo D.I. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Rogilo D.I. (Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Fedina L.I. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Fedina L.I. (Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Kosolobov S.S. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Kosolobov S.S. (Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Ranguelov B.S. (Institute of Physical Chemistry, G. Bonchev Str., building 11, Sofia 1113, Bulgaria) ,  Latyshev A.V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Acad. Lavrent’ev ave. 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Latyshev A.V. (Novosibirsk State University, Pirogov Str. 2, Novosibirsk 630090, Russia)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 188-195  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステップバンチで境された超大型(100μm)と中型(1 10μm)原子的に平坦なSi(111)-(7×7)テラス上の2次元Si島核形成と成長(2dng)の初期および後期段階はT=600 750°Cでのその場REMで調べた。まず,layer-by-layer2dngは堆積速度R臨界核サイズi=1に対応する全テラスと2D島濃度依存性で起こる。連続2dngは形態学的不安定性:伸長したピラミッド状波と分離したピラミッドは,T≦720°Cと750°Cで全てのテラス上に出現し,それぞれを誘発する。両不安定性は大きなEhrlich-Schwobel(ES)障壁と直線[11 2]型ステップ端の透過性に関連したアップヒル/ダウンヒル吸着原子電流の不均衡に起因する。しかし初めの手法が支配的な下り坂吸着原子電流遠隔シンクへにより開始される:バンチ,波のステップ端,および2D島合体によるテラス上に出現する「空格子点」島。その結果,2dngが起こる最上層サイズが臨界テラス幅λに減少した。650°Cでλ∝R-χ/2スケーリングの解析から,iは六層波三層波のi=2からi=6 8することが分かった。これは下り坂吸着原子シンクの重要性を認証するステップ透過性に関連した離れた段階。T>720°Cでの第二次不安定性型は降圧(E ES-約0.9eV[Phys.Rev.Lett.111(2013)036105])と比較してステップアップ付着のためのわずかに大きいES障壁に起因する上り坂吸着原子電流の上昇に関連している。これは最上層に「第二層」2D核形成,個々のピラミッドの成長を誘発した。ES障壁の間の小さな差のために,正味のアップヒル/ダウンヒル吸着原子電流はほぼ同等であり,従って,両方の不安定性の層被覆率分布は類似の線形勾配を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *二次元 ,  濃度依存性 ,  線形性 ,  堆積速度 ,  *核形成 ,  不安定性 ,  臨界 ,  *角錐 ,  モルフォロジー ,  被覆率 ,  電流
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  テラス ,  *透過性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1核形成 ,  A3分子ビームエピタクシー ,  A1表面過程 ,  A1形態学的安定性 ,  B2半導体シリコン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 初期 ,  成長段階 ,  Si ,  2次元 ,  核形成 ,  角錐 ,  成長 ,  透過性 ,  役割