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J-GLOBAL ID：201702249114313172   整理番号：17A1646222

深低温でのナノメータCMOS特性とコンパクトモデリング【Powered by NICT】

Nanometer CMOS characterization and compact modeling at deep-cryogenic temperatures

著者 (6件)： Incandela R. M. (TU Delft, Delft, The Netherlands) ,  Song L. (TU Delft, Delft, The Netherlands) ,  Homulle H.A.R. (TU Delft, Delft, The Netherlands) ,  Sebastiano F. (TU Delft, Delft, The Netherlands) ,  Charbon E. (TU Delft, Delft, The Netherlands) ,  Vladimirescu A. (TU Delft, Delft, The Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 58-61  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極低温温度(4Kと100mK)で異なるアスペクト比のナノメータCMOSトランジスタの特性化は二標準CMOS技術(40nmと160nm)を示した。これらの温度でのデバイス物理の詳細な理解は,拡張MOS11/PSPモデルを開発し,捕捉した。提案モデルの精度は,4KでのDCと時間領域のシミュレーションと測定を整合させることにより,初めて,100mKで実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *低温 ,  *CMOS ,  キャラクタリゼーション ,  極低温 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： 時間領域 ,  CMOS技術 ,  *ナノメータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  低温技術  (BA02040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  ナノメータ ,  CMOS ,  コンパクトモデリング