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J-GLOBAL ID:201702249158319674   整理番号:17A1497700

増強された光触媒性能のためのビスマスフェライトナノ粒子におけるジルコニウムドーピングにより誘起された酸素空格子点【Powered by NICT】

Oxygen vacancies induced by zirconium doping in bismuth ferrite nanoparticles for enhanced photocatalytic performance
著者 (7件):
資料名:
巻: 508  ページ: 237-247  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0279A  ISSN: 0021-9797  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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光触媒におけるある種の異種金属イオンのドーピングは表面欠陥(外因性酸素空格子点のような)があり,これは光触媒性能に重要な役割を果たすことができるを導入する可能性がある。本研究では,酸素空格子点はジルコニウム(Zr)ドーピングによるビスマスフェライト(BiFeO_3,BFOと表示)ナノ粒子に導入した,酸素空孔とZrをドープしたBFOの光触媒活性を調べた。光学特性とZrドープBFO光触媒の光触媒活性はZrドーピング量によって大きく影響されることが分かった。ZrドープBFO光触媒はメチルオレンジ分解に対してはるかに高い光触媒活性または純粋なBFOよりもCr(VI)還元を示した。Zrドーピング量が2mo1%であったとき,最高の光触媒効率が達成され,これは純粋BFOのそれの二倍以上であった。ZrドープBFOのブーストされた光触媒性能は主にZrドーピングにより誘起された表面酸素空格子点の存在は電子トラップと活性部位は光生成電荷キャリアの効率的な分離と移動を促進するとして作用するに起因し,トラッピング実験と光電気化学測定により確認した。このように,本研究は,効率的な可視光光触媒の開発のための大きな可能性を持つ金属イオンドーピングによる半導体光触媒中の酸素空格子点を導入するための簡単な方法を提供し,また環境浄化のための光触媒性能の表面欠陥依存性の理解を拡大した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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コロイド化学一般  ,  光化学一般  ,  塩基,金属酸化物 
物質索引 (1件):
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