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J-GLOBAL ID：201702249242170914   整理番号：17A1019965

ハフニウム前配向層を持つ垂直配向したGaNナノ構造の選択領域成長【Powered by NICT】

Selective-area growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer

著者 (10件)： Bae S.-Y. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Lekhal K. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Lee H.-J. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Mitsunari T. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Min J.-W. (Department of Physics and Photon Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea) ,  Lee D.-S. (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju, Republic of Korea) ,  Kushimoto M. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Honda Y. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Amano H. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Amano H. (Akasaki Research Center, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 110-113  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 重症メルトバックエッチングは,Si上のGaNのエピタクシーは,高品質の二次元層を成長させるためのAlNバッファ層を用いて,その高抵抗率にもかかわらず強いてきた。ここでは,従来のAlNバッファ層を置き換えるために成長GaNナノ構造(NSs)のための金属前配向層(POL)を報告した。二金属,チタン(Ti)およびハフニウム(Hf),POLとして評価した。選択領域成長を用いた高優先配向したGaN NSsのアレイを作製することに成功した。POLの結晶学的相は結晶の進化した配向に大きく影響した。光ルミネセンス測定は,HfベースPOLを持つGaN NSsは合理的に高品質であることを明らかにした。はこの結果は従来のSi系オプトエレクトロニクスを超えた動き代替基質を用いた広いIII-V族半導体への応用を容易にするであろうと信じている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  *窒化ガリウム ,  優先配向 ,  ケイ素 ,  *ハフニウム ,  窒化アルミニウム ,  *ナノ構造 ,  エピタクシー ,  バッファ層 ,  MOCVD ,  電気抵抗率 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： 高品質 ,  *垂直配向 ,  *配向膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1ナノ構造 ,  A1前配向層 ,  A3選択的エピタクシー ,  A3有機金属化学蒸着 ,  B1ハフニウム ,  B2半導性ガリウム化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ハフニウム ,  配向層 ,  垂直配向 ,  GaN ,  ナノ構造 ,  領域成長