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J-GLOBAL ID：201702249274063284   整理番号：17A1036362

三層a VMCOデバイスの信頼性に及ぼす電子バンド構造の影響【Powered by NICT】

Impact of the electronic band structure on the reliability of triple layer a-VMCO devices

著者 (6件)： Belmonte Attilio (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Govoreanu Bogdan (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Subhechha Subhali (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Di Piazza Luca (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Goux Ludovic (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Kar Gouri Sankar (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： PM-10.1-PM-10.5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少数セレクター型RRAMデバイスの中で,a VMCOは最近,高密度メモリ応用のための適切な候補として大きな関心を集めている。本論文では,三層a VMCOデバイスの信頼性は,電子バンド構造の非対称性によって影響を受け,SET動作をエネルギー的に好む,ビルトイン電場の存在を引き起こしていることを示した。特に,RESETパルスは耐久寿命を最大化するSETよりも>500倍長くする必要があり,HRS状態は自発的に時間とともにLRS状態に向かって漂っている。サイクル中のRESET効果の蓄積と時間上のHRSドリフトを組み合わせることにより,耐久性特性が大幅に向上できることを証明した。は最終的に,デバイスにバイアスをかけること,ビルトイン電圧に対抗するによる,HRSドリフトは抑制され,対称バンド構造は,これらのデバイスの信頼性を向上するためにを目的としなければならないことを実証できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐久性 ,  *信頼性 ,  電圧 ,  記憶装置 ,  パルス ,  対称性 ,  ドリフト ,  選別器 ,  *バンド構造 ,  非対称性
準シソーラス用語： 内部電場 ,  高密度 ,  ReRAM ,  *電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電子バンド構造