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J-GLOBAL ID：201702249340857103   整理番号：17A1258262

低V_t PFETの根本原因解析のためのSSRMおよびTCADによる2次元キャリアプロフィル【Powered by NICT】

2D carrier profiles by SSRM and TCAD for root cause analysis of low V_t PFET

著者 (4件)： Nxumalo J. N. (GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533) ,  Wang Y. Y. (GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533) ,  Krishnasamy R. (GlobalFoundries Inc., 1490-, 1598 Robinson Pkwy, Essex Junction, VT 05452) ,  Katnani A. (GlobalFoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, 12533)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IWJT  ページ： 31-33  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超浅接合の解析は,特に新しい3Dデバイス構造と技術の出現に重要な要件となっている。利用可能な伝統的ツールと概念から誘導した情報はデバイス性能最適化のためのTCADツールに使用するのに十分な長いなかった。さらに,現在及び将来の技術ノードデバイスの複雑な形状とナノメートルスケールの臨界寸法を特性評価と計測ツールに非常に厳しい要求を課す。通常重要な必要条件として見ないが,ドーパントプロフィルのFinFET特性化における試料調製は分析のために用いることができる技術として重要である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 試料調製 ,  三次元 ,  キャラクタリゼーション ,  素子構造 ,  必要条件 ,  *二次元
準シソーラス用語： FinFET ,  臨界寸法 ,  性能最適化 ,  極浅接合 ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 根本原因 ,  解析 ,  TCAD ,  2次元 ,  キャリア ,  プロフィル