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J-GLOBAL ID：201702249385430917   整理番号：17A1482354

温度影響を考慮した25Gbit/s DML InGaAlAs/InGaAsP/InP歪MQWレーザダイオードの設計最適化【Powered by NICT】

Design optimization for 25 Gbit/s DML InGaAlAs/InGaAsP/InP SL-MQW laser diode incorporating temperature effect

著者 (4件)： Ke Cheng (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Luoyu Road 1037, Wuhan 430074, China) ,  Li Xun (Department of Electrical and Computer Engineering, McMaster University, 1280 Main Street West, Hamilton, ON L8S 4L8, Canada) ,  Xi Yanping (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Luoyu Road 1037, Wuhan 430074, China) ,  Yu Yang (School of optical and electronic information, Huazhong University of Science and Technology, Luoyu Road 1037, Wuhan 430074, China)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 403  ページ： 34-40  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,使用した直接変調歪層多重量子井戸(SL MQW)レーザの変調帯域幅を研究することである量子井戸レーザの詳細なキャリア動力学モデル。直接変調レーザ(DML)の活性領域は量子井戸と障壁高さの数に関して最適化した。異なる運転温度での素子のダイナミック性能を妥協するために,著者らは25~85°Cの範囲の周囲温度で25Gbps DMLの全体的な最適化設計を提示した。更なる変調帯域幅を増強するために,最適化を受けるがないものに比べて約44%3dB帯域幅を増加させることを混合量子井戸設計を提案した。実験結果を最適化DMLの 3dB帯域幅は19GHzに達することができることを示した。25Gbpsのビットレートと明確なアイダイヤグラムは25°Cで観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多重量子井戸 ,  量子井戸 ,  *レーザ ,  量子井戸レーザ ,  最適設計 ,  *最適化 ,  帯域幅 ,  活性部位
準シソーラス用語： ビットレート ,  障壁高さ ,  キャリア動力学 ,  変調帯域幅 ,  歪み層 ,  直接変調 ,  *設計最適化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 半導体レーザ ,  直接変調レーザ ,  キャリア輸送

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAlAs ,  InGaAsP ,  InP ,  歪 ,  MQWレーザ ,  ダイオード ,  設計最適化