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J-GLOBAL ID：201702249459785118   整理番号：17A0634808

チタン亜酸化物層有りまたは無しのInGaZnO薄膜トランジスタの光照射の下での電気的不安定性

Electrical instability of InGaZnO thin-film transistors with and without titanium sub-oxide layer under light illumination

著者 (9件)： CHIU Y.C. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  ZHENG Z.W. (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  CHENG C.H. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN P.C. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  YEN S.S. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  FAN C.C. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU H.H. (National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN) ,  KAO H.L. (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHANG C.Y. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 3  ページ： 188,1-5  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-IGZO(InGaZnO)薄膜トランジスタ(TFT)の光誘起電気的不安定性をTiO_xパシベーション層の有る場合と無い場合とで比較研究した。非パシベートIGZO TFTでは光照射によってサブ閾値スイング(SS)の劣化が見られた。これは光照射で一時的に生成したV_O²⁺トラップに由来する全トラップ密度の増加に関係していると見られる。一方,パシベートIGZO TFTではオン/オフ比が9.5×10⁶,SSが69mV/dec,駆動電圧3Vでのデバイス易動度が105cm²/Vsと性能改善が見られた。これらの特性は光照射の下でも安定であった。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  *光照射 ,  *不安定性 ,  不動態化 ,  性能指数 ,  密度 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  パッシベーション ,  サブ閾値スイング ,  トラップ密度

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： チタン ,  酸化物層 ,  トランジスタ ,  光照射 ,  不安定性