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J-GLOBAL ID：201702249474169890   整理番号：17A0591723

有機金属化学蒸着反応器内でのin situベークにより形成したSi(001)表面上GaAsに関する選択的エピタキシャル成長

Selective Epitaxial Growth of GaAs on a Si (001) Surface Formed by an In Situ Bake in a Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Reactor

著者 (12件)： CHO Young-Dae (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Young-Dae (Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR) ,  LEE In-Geun (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE In-Geun (Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR) ,  JUNG Mi-Jin (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  SHIN Hyunsu (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  JUN Dong-Hwan (Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR) ,  SHIN Chan-Soo (Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR) ,  PARK Kyung-Ho (Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR) ,  PARK Won-Kyu (Korea Advanced Nano Fab Center, Gyeonggi, KOR) ,  KIM Dae-Hyun (Kyungpook National Univ., Dague, KOR) ,  KO Dae-Hong (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3242-3246  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 論理素子に関する開発研究の一環として,本論文では,有機金属化学蒸着(MOCVD)反応器内でのGaAsに関する選択的エピタキシャル成長を報告した。著者らは,アスペクト比トラッピング法を用いて,V字型溝を有するSi(001)表面基板上で,上記エピタクシーを行った。薄膜のキャラクタリゼーションは,X線回折および高分解能透過型電子顕微鏡法で行なった。その結果に基づいて,この基板構造は,GaAsとSiとの界面から発生する欠陥をトラップするので,GaAs薄膜品質の向上が実現できたこと,を記した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  *MOCVD ,  選択成長 ,  基板 ,  ケイ素 ,  結晶方位 ,  実験 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： in situ実験 ,  HRTEM

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属化学蒸着 ,  反応器 ,  ベーク ,  Si ,  GaAs ,  エピタキシャル成長