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J-GLOBAL ID：201702249681449114   整理番号：17A1388425

電子後方散乱回折を用いた解析結晶学的微細組織によるSn被覆中のホイスカ結晶粒の同定【Powered by NICT】

Identification of whisker grain in Sn coatings by analyzing crystallographic micro-texture using electron back-scatter diffraction

著者 (4件)： Jagtap Piyush (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India) ,  Chakraborty Aritra (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Michigan State University, East Lansing, MI 48824, USA) ,  Eisenlohr Philip (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Michigan State University, East Lansing, MI 48824, USA) ,  Kumar Praveen (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 134  ページ： 346-359  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホイスカ粒の近傍における応力場の簡単な解析と結合した結晶方位マッピングを行うことにより「どこしSn被覆におけるホイスカが成長」の長年の問題を理解することを試みた。電子後方散乱回折(EBSD)を黄銅上に堆積した4μm厚のSn被覆におけるSn結晶粒の方位マッピングのために用いた。ホイスカは一貫しては類似の方位を持つ結晶粒に囲まれていた,高屈折率面を有する結晶粒に囲まれた部分的には(100)または(100)配向を有する低屈折率粒子から成長することを観察した,(211),(321)および(420)である。ホイスカの近傍で一貫して観察された強い弾性異方性と全体的な高傾角粒界の高い割合。さらに,ホイスカ粒の近傍における局所応力変化を解析するためのEBSD方位マップを用いて行った全視野三次元結晶弾性シミュレーション。これらのシミュレーションは,ホイスカ粒の周りの高い圧縮静水圧応力の存在下,実験的に観察されたホイスカ成長に資する条件を作成可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *微細構造 ,  集合組織 ,  *結晶粒 ,  弾性 ,  *スズ ,  応力場 ,  シミュレーション ,  屈折率 ,  *被覆 ,  三次元 ,  結晶方位 ,  *結晶学 ,  *ホイスカ ,  黄銅
準シソーラス用語： *EBSD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： EBSD ,  微細集合組織マッピング ,  応力場マッピング ,  Snホイスカ ,  ホイスカ位置

分類 (1件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子後方散乱回折 ,  解析 ,  結晶学 ,  微細組織 ,  Sn ,  ホイスカ ,  結晶粒 ,  同定