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J-GLOBAL ID：201702249788576623   整理番号：17A0522196

PINドープGaN量子障壁を用いたInGaN/GaN発光ダイオードの高効率化

Efficiency enhancement of InGaN/GaN light-emitting diodes with pin-doped GaN quantum barrier

著者 (8件)： SIRKELI Vadim P (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  SIRKELI Vadim P (Comrat State Univ., Comrat, MDA) ,  YILMAZOGLU Oktay (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  AL-DAFFAIE Shihab (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  OPREA Ion (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  ONG Duu Sheng (Multimedia Univ., Selangor, MYS) ,  KUEPPERS Franko (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  HARTNAGEL Hans L (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 3  ページ： 035108,1-13  発行年： 2017年01月25日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非ドープSi(Mg)-ドープGaN障壁またはSi(Mg)デルタ-ドープGaN障壁を有する発光ダイオード(LED)デバイスと比較して,InGaN/GaN多重量子井戸(MQWs)内のGaN障壁におけるMg-Siピンドーピングの効果を数値的に調べた。Schrodinger-Poissonソルバソフトウェアを用いて,異なる構造を有するInGaN/GaN LEDsの輸送および光学特性を数値的に調べた。研究したLEDsデバイスは,内部量子効率(IQE),外部量子効率,ウォールプラグ効率,および電力効率などの性能パラメータにより特徴付けた。シミュレーションの結果,Mg-SiピンドープGaN障壁を有するMQWs LEDs構造は,100Acm^-2で85.9%の最大IQEを有する有望な設計であり,放射ELピークは415.3nmに位置し,非ドープGaN障壁を有するLEDsデバイス構造と比較して青方偏移していた。

シソーラス用語： *ポテンシャル障壁 ,  *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  ドーピング ,  多重量子井戸 ,  シミュレータプログラム ,  特性 ,  光学的性質 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  量子効率 ,  エネルギー変換効率 ,  電力効率 ,  青方偏移
準シソーラス用語： 多重量子障壁 ,  *GaN ,  ドープ ,  シミュレーションソフトウェア ,  輸送特性 ,  光学特性 ,  *InGaN ,  内部量子効率 ,  外部量子効率 ,  ウォールプラグ効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  GaN ,  量子 ,  障壁 ,  InGaN ,  発光ダイオード ,  高効率化