文献

J-GLOBAL ID：201702249809099278   整理番号：17A0911197

陽子照射したAlGaN/GaNH EMTのGd_2O_3ゲート誘電体の影響【Powered by NICT】

Effects of Gd₂O₃ Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs

著者 (6件)： Gao Z. (ISOM) ,  Romero M. F. (ISOM) ,  Redondo-Cubero A. (Department of Applied Physics, Microelectronics Laboratory, Universidad Auto ́noma de Madrid, Madrid, Spain) ,  Pampillon M. A. (Departamento de Fi ́sica Aplicada III (Electr. y Electron.), Universidad Complutense de Madrid, Madrid, Spain) ,  San Andres E. (Departamento de Fi ́sica Aplicada III (Electr. y Electron.), Universidad Complutense de Madrid, Madrid, Spain) ,  Calle F. (ISOM)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 5  ページ： 611-614  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)とゲート誘電体としてGd_2O_3を用いたMOS-HEMTは1×10~15cm~ 2のフルエンスまで2MeV陽子を照射した。結果は陽子照射は,Schottkyゲートデバイスにおける強い分解,逆漏れ電流の大きさ増加,最大ドレイン電流の30%減少,オン抵抗の増加の同じ割合の三桁以上特徴を引き起こす,ことを示した。走査透過型電子顕微鏡は,放射線は,ゲートとボイド形成中のAuへのNiの拡散を誘導し,トランジスタの特性を劣化させることを示した。Gd_2O_3ゲート誘電体層は,この拡散とボイド形成を抑制した。Gd_2O_3ゲート誘電体をもつMOS HEMTは,SchottkyゲートH EMT(従来のHEMT)よりも陽子照射下での性能の50%以下の減少を示した。照射前後のGd_2O_3ゲート層のトラッピング効果についても考察した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金 ,  *陽子照射 ,  ニッケル ,  フルエンス ,  オン抵抗 ,  *ゲート絶縁膜 ,  トランジスタ ,  *陽子 ,  放射線 ,  HEMT ,  漏れ電流
準シソーラス用語： トラッピング ,  ドレイン電流 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 陽子照射 ,  AlGaN ,  EMT ,  ゲート誘電体