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J-GLOBAL ID：201702249919729709   整理番号：17A1256467

低周波雑音の変動性と閉鎖ゲートと標準nMOSFETにおけるミスマッチ【Powered by NICT】

Variability of Low Frequency Noise and mismatch in enclosed-gate and standard nMOSFETs

著者 (9件)： Bucher Matthias (School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, 73100 Chania, Greece) ,  Nikolaou Aristeidis (School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, 73100 Chania, Greece) ,  Mavredakis Nikolaos (School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, 73100 Chania, Greece) ,  Makris Nikolaos (School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, 73100 Chania, Greece) ,  Coustans Mathieu (Ecole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), 1015, Switzerland) ,  Lolivier Jerome (EM Microelectronic-Marin SA, 2074 Marin-Epagnier, Switzerland) ,  Habas Predrag (EM Microelectronic-Marin SA, 2074 Marin-Epagnier, Switzerland) ,  Acovic Alexandre (EM Microelectronic-Marin SA, 2074 Marin-Epagnier, Switzerland) ,  Meyer Rene (EM Microelectronic-Marin SA, 2074 Marin-Epagnier, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMTS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低周波雑音(LFN)とランダムテレグラフノイズ(RTN)の変動は多くのアナログCMOS集積回路のための重要な関心事である。本論文では,閉鎖ゲートレイアウトを有するトランジスタを検討・比較して,標準のレイアウトトランジスタを用いた,弱い反転領域に特に重点を置いた。密閉ゲートトランジスタは弱い反転における改善されたゲート電圧不整合を示した。数ゆらぎ理論に基づいて,LFNとその変動のためのコンパクトなMOSFETモデルはどちらのタイプトランジスタの挙動を良くカバーすることを示した。囲まれたゲートトランジスタで観測された低レベル雑音の雑音の低い変動性。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *雑音 ,  *低周波雑音 ,  モデリング ,  アナログ系 ,  ゆらぎ ,  *MOSFET ,  *不整合 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  CMOS集積回路 ,  ランダムテレグラフノイズ ,  *nMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低周波雑音 ,  変動性 ,  閉鎖 ,  ゲート ,  標準 ,  nMOSFET ,  ミスマッチ