Pu Kaiwen について
School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Pu Kaiwen について
State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Dai Xianying について
School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Dai Xianying について
State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Miao Dongming について
School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Miao Dongming について
State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Wu Shujing について
School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Wu Shujing について
State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Zhao Tianlong について
School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Zhao Tianlong について
State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Hao Yue について
School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Hao Yue について
State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Journal of Crystal Growth について
気相反応 について
反応経路 について
窒化アルミニウム について
成長速度 について
速度論 について
シミュレーション について
化学プロセス について
MOCVD について
基板温度 について
気相 について
最適化 について
境界層 について
チャンバ について
表面吸着 について
動力学モデル について
A1Grove理論 について
A1速度論的モデル について
A3MOCVD について
B1AlN膜 について
半導体薄膜 について
理論 について
AlN について
MOCVD について
蒸着 について
動力学モデル について