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J-GLOBAL ID：201702249925604260   整理番号：17A1557682

Grove理論に基づくAlN膜のMOCVD蒸着のための動力学モデル【Powered by NICT】

A kinetics model for MOCVD deposition of AlN film based on Grove theory

著者 (12件)： Pu Kaiwen (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Pu Kaiwen (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Dai Xianying (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Dai Xianying (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Miao Dongming (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Miao Dongming (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Wu Shujing (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Wu Shujing (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhao Tianlong (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhao Tianlong (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 478  ページ： 42-46  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Grove理論に基づいて,AlN膜のMOCVD堆積の速度論的モデルを提案し,構築した。,例えば,気相輸送,表面吸着,表面化学反応,物理的及び化学的プロセスだけでなく境界層における気相反応は,速度論モデルで分析した。このモデルに基づいて,AlN膜の成長速度に及ぼす基板温度とチャンバ圧力の影響を調べ,対応する機構であった。一方,AlN成長速度と温度,三種類の反応経路の圧力の依存性も分析した。シミュレーション結果は実験における適切な温度と圧力によるAlN成長の最適化への重要な洞察を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 気相反応 ,  反応経路 ,  *窒化アルミニウム ,  成長速度 ,  速度論 ,  シミュレーション ,  化学プロセス ,  *MOCVD ,  基板温度 ,  気相 ,  最適化 ,  境界層
準シソーラス用語： チャンバ ,  表面吸着 ,  *動力学モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1Grove理論 ,  A1速度論的モデル ,  A3MOCVD ,  B1AlN膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 理論 ,  AlN ,  MOCVD ,  蒸着 ,  動力学モデル