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J-GLOBAL ID:201702250035599100   整理番号:17A0449302

高パワーインパルスマグネトロンスパッタリング法によるダイヤモンド状炭素薄膜の蒸着【Powered by NICT】

Deposition of diamond-like carbon thin films by the high power impulse magnetron sputtering method
著者 (6件):
資料名:
巻: 72  ページ: 71-76  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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行った実験の目的は,高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)アルゴン放電におけるプラズマの密度増加は室温で高い.~3画分含有量をもつダイヤモンド状膜を得る可能性を与えるであろうかどうかを評価することであった。マグネトロン陰極は,自分で設計した供給により駆動された。高電圧供給,タンクキャパシタとスイッチから成っていた。タンクキャパシタと接続線のインダクタンス,LC共振回路を形成した。結果として,各スパッタリングパルス(20μsの持続時間,2200Aのピーク電流)は,逆パルス(25μ秒の持続時間,700Aのピーク電流)により,両正弦波形状を有していた。繰り返し時間は3秒であった。シリコン基板は,ターゲット表面の上8cmに設置した。99.99%純粋な黒鉛ターゲットのスパッタリング過程は6 8×10~ 3hPaの圧力でアルゴン雰囲気中で行った。400電着パルス後に得られた炭素膜は35nmの厚さを持っていた。表面RMS粗さ,光学プロファイラを用いて測定したが,約2nmであった。屈折率は偏光解析研究により推定した400及び800nmで各々2.45と2.3とした。約70 80%のsp~3ハイブリダイゼーション画分含有量はRaman散乱スペクトルの解析に基づいて計算した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  測光と光検出器一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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