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J-GLOBAL ID：201702250210429309   整理番号：17A1273445

SchottkyおよびMISゲートを用いたAlGaN/GaNH EMTのパルスのロバスト性【Powered by NICT】

Pulse robustness of AlGaN/GaN HEMTs with Schottky- and MIS-gates

著者 (5件)： Unger Christian (Chair of Energy Conversion, TU Dortmund, Dortmund, Germany, Emil-Figge-Stras&e 68, Dortmund, Germany) ,  Mocanu Manuela (Robert Bosch Center for Power Electronics, Reutlingen University, Reutlingen, Germany) ,  Pfost Martin (Chair of Energy Conversion, TU Dortmund, Dortmund, Germany, Emil-Figge-Stras&e 68, Dortmund, Germany) ,  Waltereit Patrick (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Freiburg, Germany) ,  Reiner Richard (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Freiburg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 451-454  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高出力パルスストレス下でのMISおよびSchottkyゲートAlGaN/GaNH EMTの挙動を調べた。定電力のパルスを印加することのできる特別な装置を用いて,種々の動作点における電気-熱応答を評価することである。両方のタイプのデバイスに対して,破壊までの時間は増加ドレイン-ソース電圧と共に減少することが分かった。全体として,Schottkyゲートデバイスは,より高いパルスロバスト性を示した。MISゲート素子のパルス耐時間は約240°Cでの熱不安定性の発生によって制限されるが,Schottkyゲートデバイスは,破壊前にゲート漏れ電流の急速な増加を示した。このゲート電流の原因となる機構は静的および過渡的温度分布の測定により研究した,0.6eVと0.84eVの活性化エネルギーを得た。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度分布 ,  電力 ,  *パルス ,  活性化エネルギー ,  熱応答 ,  高速度 ,  *ロバスト性 ,  電圧
準シソーラス用語： ゲート電流 ,  ゲート漏れ電流 ,  熱不安定性 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MIS ,  ゲート ,  AlGaN ,  EMT ,  パルス ,  ロバスト性