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J-GLOBAL ID：201702250705734122   整理番号：17A1475297

半導体表面における光励起キャリアダイナミクスの時間・空間分解計測

Spatio-temporal Observation of Photogenerated Carrier Dynamics on a Semiconductor Surface

著者 (1件)： 福本恵紀 (高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 60  号： 10  ページ： 388-391(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LED や太陽電池などの光電デバイスは,受光後の極短時間に生じる半導体表面上の光生成特性がデバイス性能に関係するため,ピコ秒・フェムト秒スケールの超高速現象の研究が進んでいる。フェムト秒レーザーを利用した時間分解光電子顕微鏡を紹介する。この装置ではレーザーパルスを2つの光路に分け,一方を光キャリア励起のポンプ光,他方を光電子放出により検出するプローブ光とし,双方の試料照射タイミングを制御する。GaAs基板を試料とした測定例では顕微鏡視野内にある光電子放出位置と光強度時間変化を捉え,空間分解能は100nm,時間分解能は100fsであった。光キャリアの寿命は,キャリア再結合時間と欠陥状態密度とを関連付けたSchockley-Read-Hallモデルの中間準位で説明できることを示した。

シソーラス用語： 半導体 ,  電子顕微鏡観察 ,  *レーザパルス ,  *表面構造 ,  光電子放出
準シソーラス用語： *フェムト秒レーザーパルス ,  光電子顕微鏡法

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B)

引用文献 (29件)：

• 1) G. M. Martin and S. Makram-Ebeid: in Deep Centers in Semiconductors, ed. S. T. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986), Chapter 6.
• 2) X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber and W. Walukiewicz: Appl. Phys. Lett., 67 (1995) 279.
• 3) M. Kaminska: Phys. Scr., T19 (1987) 551.
• 4) J. C. Bourgoin and T. Neffati: Sol. Stat. Electron., 43 (1999) 153.
• 5) C. H. Henry and D. V. Lang: Phys. Rev. B, 15 (1977) 989.

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体表面 ,  光励起 ,  分解 ,  計測