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J-GLOBAL ID：201702250710740203   整理番号：17A0697163

分子ビームエピタクシーにより成長させたAl_0 9Ga_0 1As_0 0.06Sb_0Cu3O6.94中へのドーパントの導入【Powered by NICT】

Dopant incorporation in Al_0.9Ga_0.1As_0.06Sb_0.94 grown by molecular beam epitaxy

著者 (6件)： Patra Saroj Kumar (Department of Electronic Systems, Norwegian University of Science and Technology (NTNU), NO-7491 Trondheim, Norway) ,  Tran Thanh-Nam (Department of Electronic Systems, Norwegian University of Science and Technology (NTNU), NO-7491 Trondheim, Norway) ,  Vines Lasse (Department of Physics, University of Oslo, NO-0316 Oslo, Norway) ,  Kolevatov Ilia (Department of Physics, University of Oslo, NO-0316 Oslo, Norway) ,  Monakhov Edouard (Department of Physics, University of Oslo, NO-0316 Oslo, Norway) ,  Fimland Bjorn-Ove (Department of Electronic Systems, Norwegian University of Science and Technology (NTNU), NO-7491 Trondheim, Norway)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 116-122  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長させたAl_0 9Ga_0 1As_0 0.06Sb_0 0.94層中のベリリウム(Be)とテルル(Te)ドーパントの取込を調べた。ドープ層のキャリア濃度と移動度は二次イオン質量分析深さプロファイリングからの室温H all効果測定,およびドーパント密度から得られた。アンドープAl_0 3Ga_0 7Asキャップ層と側壁不動態化を用いて,酸化を減少させ,Hall効果測定の精度を改善した。Beドープ試料の測定は2.9×10~19cm~ 3の最高Beドーパント密度が,Teドープ試料ではドーピング効率は一般に低までドーパント密度と共に直線的に変化し高いドーピング効率とキャリア濃度と8.0×10~18cm~ 3以上のTeドーパント密度の飽和キャリア濃度を明らかにした。TeドープAl_0 9Ga_0 1As_0 0.06Sb_0 0.94層中の低ドーピング効率を深準位過渡分光法により研究した,深いトラップ準位の存在と低ドーピング効率を説明する関連DXセンターを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： テルル ,  キャリア密度 ,  不動態化 ,  *MBE成長 ,  移動度 ,  Hall効果 ,  *ドーパント ,  深準位過渡分光法 ,  深さプロフィル ,  ベリリウム ,  ドーピング
準シソーラス用語： DX中心 ,  キャップ層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1ドーピング ,  A3分子ビームエピタクシー ,  B1アンチモン化物 ,  B2半導性III-V材料 ,  B3レーザダイオード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  ドーパント