文献

J-GLOBAL ID：201702250796936172   整理番号：17A1637514

株(BEOL)Cu/Ultra低k時間依存絶縁破壊(TDDB)依存性の鍵となる過程に及ぼす28nmの研究【Powered by NICT】

A study of 28nm back end of line (BEOL) Cu/Ultra-low-k time dependent dielectric breakdown (TDDB) dependence on key processes

著者 (7件)： Li Feng-lian (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China) ,  Zhou Jie (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China) ,  Zhang Li-Fei (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China) ,  Gan Zheng-Hao (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China) ,  Zou Xiao-Dong (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China) ,  Dou Tao (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China) ,  Yu Tzu-Chiang (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 45nm技術ノード以降の収縮デバイスサイズとして,論理BEOL(ラインのバックエンド)は,RC遅延を減少させるためにCu/Ultra低k(ULK)の適用を開始した。低k材料の導入に伴い,IMD TDDBは報告されている多数の出版物として分解注目されるところである。ULK材料蒸着プロセス,TDDB性能に及ぼす障壁層堆積プロセスの影響を本論文で詳細な検討,考察した。ULK材料蒸着プロセスでは,前駆体とRF出力パラメータを含むSi-Oと炭化水素の流量は,RC遅延とTDDB性能に大きな影響を与える。障壁層の厚さ,直流電源と交流電力パラメータは障壁堆積プロセスにおけるTDDB性能に影響を与える。さらに,IMD TDDBの比較と予測の単純な方法は漏れ電流と絶縁破壊電圧(Vbd)の分析を提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *絶縁破壊 ,  前駆体 ,  漏れ電流 ,  流量 ,  *時間依存性 ,  電力 ,  直流電源 ,  交流 ,  炭化水素
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  バリア層 ,  蒸着過程 ,  配線遅延 ,  *TDDB ,  *BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： 株 ,  BEOL ,  Cu ,  時間依存 ,  絶縁破壊 ,  TDDB ,  依存性 ,  鍵 ,  過程 ,  研究