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J-GLOBAL ID：201702251029243530   整理番号：17A0544481

2H-MoTe₂における圧力に依存する半導体-半金属およびLifshitz転移:Ramnおよび第一原理研究

Pressure-dependent semiconductor to semimetal and Lifshitz transitions in 2H-MoTe₂: Raman and first-principles studies

著者 (5件)： BERA Achintya (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  SINGH Anjali (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND) ,  MUTHU D V S (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  WAGHMARE U V (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND) ,  SOOD A K (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 29  号： 10  ページ： 105403,1-10  発行年： 2017年03月15日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *金属-半導体転移 ,  *テルル化物 ,  *モリブデン化合物 ,  相転移 ,  圧力効果 ,  Fermi面 ,  第一原理 ,  Raman分光法 ,  高圧 ,  *電子構造 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： Lifshitz転移 ,  *テルル化モリブデン ,  圧力依存性 ,  *半導体-半金属転移

分類 (2件)： 固相転移  (BL04020G) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半金属 ,  Lifshitz転移 ,  第一原理 ,  研究