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J-GLOBAL ID：201702251106988572   整理番号：17A0825252

地上中性子によるSiとSiCパワーMOSFETにおけるシングルイベント効果【Powered by NICT】

Single Event Effects in Si and SiC Power MOSFETs Due to Terrestrial Neutrons

著者 (4件)： Akturk A. (CoolCAD Electronics LLC, College Park, MD, USA) ,  Wilkins R. (Prairie View A&M University, College Station, TX, USA) ,  McGarrity J. (CoolCAD Electronics LLC, College Park, MD, USA) ,  Gersey B. (Prairie View A&M University, College Station, TX, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 1  ページ： 529-535  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中性子誘起単一事象故障とそれに付随する断面積と同様にシリコン(Si)と炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFET室温での低高度心不全における時間(FIT)曲線の実験的研究は,SiCデバイスにおける破壊メカニズムの可能な説明とともに報告した。中性子はそれらのSi当量と比較してSiCを基本とするパワーMOSFETの故障有意に少ないを生じさせることが分かった;が,地上スペクトルをシミュレートする中性子に曝露された場合にSiCパワーMOSFETは,壊滅的な破壊を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 断面積 ,  *中性子 ,  スペクトル ,  *ケイ素 ,  故障 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 破壊機構 ,  実験研究 ,  単一事象 ,  *SEE【事象】 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 地上 ,  中性子 ,  Si ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  シングルイベント効果