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J-GLOBAL ID：201702251147080313   整理番号：17A1825141

硫化物半導体に固定された共触媒Co/Ni種と優れた光触媒H_2生産【Powered by NICT】

Superior Photocatalytic H₂ Production with Cocatalytic Co/Ni Species Anchored on Sulfide Semiconductor

著者 (10件)： Zhao Guixia (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Sun Yubin (School of Environment and Chemical Engineering, North China Electric Power University, 2 Beinong Rd., Huilongguan, Changping District, Beijing, 102206, China) ,  Zhou Wei (TU-NIMS International Collaboration Laboratory, School of Material Science and Engineering, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Wang Xiangke (School of Environment and Chemical Engineering, North China Electric Power University, 2 Beinong Rd., Huilongguan, Changping District, Beijing, 102206, China) ,  Chang Kun (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Liu Guigao (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Liu Huimin (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Kako Tetsuya (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Ye Jinhua (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Ye Jinhua (TU-NIMS International Collaboration Laboratory, School of Material Science and Engineering, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 40  ページ： ROMBUNNO.201703258  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光触媒効率を促進するための半導体上のダウンサイジング遷移金属共触媒は研究および工業的応用のために重要である。本研究は光触媒H_2進化における共触媒として機能する金属-EDTA(M EDTA)錯体とCdS混合物前駆体中のエチレンジアミンテトラアセタート(EDTA)配位子の制御された脱炭酸によるCdS表面上に良好に分散した金属種を固定するための新規で容易な戦略を提示した。微細構造キャラクタリゼーションと性能評価は可視光下でCdS上に得られた五配位Co(II)および六配位Ni(II)は助触媒水素発生に向かって,はそれぞれ3.1mmol H~( 1)(420nmで56.2%の626時間~( 1)と見かけの量子効率(AQE)のターンオーバ頻度(TOF)で)と4.3mmol H~( 1)(420nmで67.5%の864時間~( 1)とAQEのTOF)の高い活性を示し,このような六配位Ni(II)の共触媒活性は白金のそれを上回ることを明らかにした。さらなる機構的研究と理論的モデリングは完全に利用されるCo(II)/Ni(II)活性部位,効率的な電荷移動,と良好な速度論は効率的活性を保証することを示した。本研究では,容易な湿式化学法による硫化担体に及ぼす栽植分散遷移金属種のための有望な前駆体,すなわち,MEDTAを紹介し,原子/分子スケールでの光触媒H_2生産のための新しい機会を提供した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 性能評価 ,  硫化カドミウム ,  活性部位 ,  電荷移動 ,  *光触媒 ,  量子効率 ,  *半導体 ,  *硫化 ,  キャラクタリゼーション ,  前駆体 ,  微細構造 ,  ターンオーバー数 ,  可視光 ,  速度論
準シソーラス用語： 水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 助触媒種 ,  H2発生 ,  photocatalysis ,  遷移金属触媒

分類 (5件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A) ,  触媒の調製  (CB06110P) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫化物 ,  共触媒 ,  CO ,  Ni ,  光触媒