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J-GLOBAL ID：201702251162305355   整理番号：17A0026058

AlNパシベーション層とNH₃遠隔後プラズマ処理をしたIn_0.53Ga_0.47As MOSFETの電気的解析とPBTI信頼性

Electrical Analysis and PBTI Reliability of In_0.53Ga_0.47As MOSFETs With AlN Passivation Layer and NH₃ Postremote Plasma Treatment

著者 (7件)： Chang Po-Chun (Department of Electronics Engineering and the Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Luc Quang-Ho (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lin Yueh-Chin (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Liu Shih-Chien (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lin Yen-Ku (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Sze Simon M. (Department of Electronics Engineering and the Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Edward Yi (Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 9  ページ： 3466-3472  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ原子層デポジションAlN界面パシベーション層(IPL)とNH₃遠隔後プラズマ処理(PRPT)を使ったHfO₂/In_0.53Ga_0.47As MOFETの性能,電子輸送,信頼性における顕著な改善を報告する。界面準位密度(D_it)は6.1×10¹²から4×10¹¹cm^-2eV^-1におおよそ一桁減少し,境界トラップ密度Nbtも2.8×10¹⁹から2.7×10¹⁸cm^-3へと1/10に減り,蓄積周波数分散が低減されてC-V特性での逆ハンプが消滅してデバイス性能が改善されるのである。さらに,正バイアス温度不安定性ストレスはAlN IPLとNH₃ PRPTのある試料はIPLやプラズマ処理の無い試料よりもより信頼性が高いことを示した。PBTストレスの間,AlN IPLとNH₃ PRPTの試料でわずかな閾値電圧シフトと小さい相互コンダクタンスの低下が観察された。さらに,10年動作寿命のための最大オーバードライブ電圧が0.19から0.41Vに増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 窒素族元素 ,  半導体材料 ,  *MOSFET ,  論理回路 ,  論理素子 ,  *プラズマ処理 ,  窒化アルミニウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ハフニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  化学蒸着 ,  表面準位 ,  不動態化 ,  *信頼度 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  容量電圧特性 ,  熱安定性 ,  不安定性 ,  高k誘電体 ,  ワイドギャップ半導体 ,  改変 ,  *度
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  III-V半導体材料 ,  PBTI ,  *パッシベーション ,  ロジックゲート ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  界面準位 ,  半導体素子信頼性

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  パシベーション層 ,  NH3 ,  プラズマ処理 ,  MOSFET ,  解析 ,  PBTI