文献

J-GLOBAL ID：201702251327258246   整理番号：17A0222637

少数層MoS₂FETへの高k誘電体超薄膜の統合法の改善:リモートフォーミングガスプラズマ前処理による

Improved integration of ultra-thin high-k dielectrics in few-layer MoS₂ FET by remote forming gas plasma pretreatment

著者 (7件)： Wang Xiao (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Zhang Tian-Bao (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Yang Wen (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Zhu Hao (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Chen Lin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Sun Qing-Qing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 5  ページ： 053110-053110-5  発行年： 2017年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *硫化モリブデン ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  化学蒸着 ,  プラズマCVD ,  プラズマ温度 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 高k誘電体 ,  原子層蒸着 ,  プラズマ蒸着

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高k誘電体 ,  超薄膜 ,  統合 ,  前処理