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J-GLOBAL ID：201702251368966252   整理番号：17A1181679

進歩したCMOSのための再構成可能な電界効果トランジスタ:利点と限界【Powered by NICT】

Reconfigurable field effect transistor for advanced CMOS: Advantages and limitations

著者 (6件)： Navarro C. (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Barraud S. (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Martinie S. (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Lacord J. (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Jaud M.-A. (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Vinet M. (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 128  ページ： 155-162  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 再構成可能なFET(RFETs)は,平面完全空乏型(FD)SOIで最適化した。その基礎,静電気学と性能は標準28nm FDSOIと他のRFETs結果文献と比較した。将来広い採用の主な課題を分析し,コメントした。最後に,ソース/ドレインでの非対称シリサイド化などの性能を改善するための幾つかのチップを考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  ケイ化物 ,  *CMOS ,  *FET【トランジスタ】 ,  非対称性
準シソーラス用語： FDSOI ,  静電気学 ,  *再構成可能性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： FDSOI ,  再構成可能なFET ,  極性ゲート ,  可逆FET ,  RFET ,  Schottky障壁

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  再構成 ,  電界効果トランジスタ ,  利点 ,  限界