文献

J-GLOBAL ID：201702251371909094   整理番号：17A1546293

p型シリコンにおける電子ビーム蒸着により導入された欠陥の熱安定性【Powered by NICT】

Thermal stability of defects introduced by electron beam deposition in p-type silicon

著者 (6件)： Danga H.T. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Auret F.D. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Tunhuma S.M. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Omotoso E. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Igumbor E. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Meyer W.E. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 409  ページ： 46-49  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビーム蒸着(EBD)とそれに続くp-Si上のチタン(Ti)接触の等時焼なましの間に導入された欠陥の電子的および熱的性質を調べた。本研究では,EBD蒸着Ti Schottky接触は200 400°Cの温度範囲でアニールした。電流-電圧(I V)測定は,アニーリング段階による電気特性の変化を監視した。0.55eVの障壁高さは,蒸着したままの試料で測定した。深準位過渡分光法(DLTS)およびLaplace DLTS技術はTi Schottky接触のEBDと等時間の焼鈍の後に導入された欠陥を同定した。DLTSは,メタライゼーションの過程において導入される主な欠陥は正孔トラップH(0.05),H(0.23)とH(0.38)であることを明らかにした。300°Cでの焼なましは,H(0.05)と(0.38)を二正孔トラップを除去した。原子間力顕微鏡(A FM)は,それらの表面トポロジーを監視するための接触を行った。アニーリング温度が増加すると接触の表面は粗くなった。焼なまし温度の上昇との接触の二乗平均平方根粗さのわずかな増加がTi層へのSiの外方拡散に起因すると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  原子間力顕微鏡 ,  深準位過渡分光法 ,  熱特性 ,  電圧 ,  *電子ビーム蒸着 ,  チタン ,  メタライゼーション ,  *蒸着 ,  電気特性 ,  *熱安定性 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  正孔トラップ ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコン ,  Laplace-DLTS ,  電子ビーム蒸着 ,  アニーリング

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： p型シリコン ,  電子ビーム蒸着 ,  欠陥 ,  熱安定性