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J-GLOBAL ID：201702251415775216   整理番号：17A0361470

InGaAsP MBEにより成長させたに及ぼす急速熱アニーリングの著しい影響:材料と光起電素子【Powered by NICT】

The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device

著者 (14件)： Ji Lian (College of Energy, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, China) ,  Ji Lian (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China) ,  Tan Ming (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China) ,  Ding Chao (College of Energy, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, China) ,  Honda Kazuki (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Harasawa Ryo (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Yasue Yuya (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Wu Yuanyuan (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China) ,  Dai Pan (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China) ,  Tackeuchi Atsushi (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Bian Lifeng (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China) ,  Lu Shulong (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China) ,  Yang Hui (College of Energy, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, China) ,  Yang Hui (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 458  ページ： 110-114  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速熱アニーリング(RTA)を,分子ビームエピタクシーにより成長させた1eVのバンドギャップエネルギーをもつInGaAsP太陽電池について行った。最適条件下でRTAの採用で,開放電圧は0.45から0.5Vへ増加し,光電変換効率は11.87 13.2%からそれぞれ増加した,これはp型InGaAsPの結晶品質向上,空乏領域内の減少した再結合電流に起因した。p型InGaAsPの積分光ルミネセンス(PL)強度は800°Cでのアニーリング後に166倍に増加し,そのPL減衰時間は1桁増加した。が名目上非ドープおよびnドープInGaAsPの変化は無視できた。異なるドーピングタイプのInGaAsPへのRTAの効果の異なる挙動は高度に移動性の「活性化」p型InGaAsP中のベリリウム(Be)原子に起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再結合 ,  *焼なまし ,  *RTA【熱処理】 ,  太陽電池 ,  減衰時間 ,  積分 ,  最適条件 ,  ドーピング ,  MBE成長 ,  光ルミネセンス ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  光電変換効率 ,  開回路電圧 ,  バンドギャップエネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A3分子ビームエピタクシー ,  B2半導性III-V材料 ,  B3太陽電池

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAsP ,  MBE ,  成長 ,  急速熱アニーリング ,  光起電素子