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J-GLOBAL ID：201702251419250669   整理番号：17A1651315

熱処理によるn-Si(100)上のフィルタ陰極真空アーク非晶質炭素膜の変調した電気特性【Powered by NICT】

Modified electrical characteristics of filtered cathodic vacuum arc amorphous carbon film on n-Si (100) by heat treatment

著者 (5件)： Pham Hung V. (RMIT University, School of Engineering Melbourne, Australia, RMIT University, School of Science & Technology, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Holland Anthony S. (RMIT University, School of Engineering Melbourne, Australia, RMIT University, School of Science & Technology, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Nguyen Huy L. (RMIT University, School of Engineering Melbourne, Australia, RMIT University, School of Science & Technology, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Partridge James G. (RMIT University, School of Engineering, Melbourne, Australia) ,  Tran Hiep N. (RMIT University, School of Engineering, Melbourne, Australia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RSM  ページ： 38-41  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素同素体は,最近それらの新しい応用のために大きな関心が持たれている。本論文では,非晶質炭素膜の電気的挙動,フィルタード陰極真空アーク(FCVA)堆積法によりn-Si基板上に堆積したを調べ,高温でそれを処理した。XPSデータはまた,材料をさらに理解するために用いた。800~0Cで熱処理した1000Vと堆積後で蒸着したFCVA非晶質炭素膜は2000Ωまでの全抵抗を伴う他のセッティングと比較して全抵抗1200Ωとn-Si基板への良好なOhm接触を達成することが示唆された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *熱処理 ,  *炭素 ,  *真空アーク ,  高温 ,  Ohm接触 ,  *非晶質 ,  *フィルタ ,  *電気特性
準シソーラス用語： 同素体 ,  *炭素膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 熱処理 ,  Si ,  陰極 ,  真空アーク ,  非晶質 ,  炭素膜 ,  変調 ,  電気特性