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J-GLOBAL ID：201702251771584740   整理番号：17A1465201

低温マイクロ波アニールしたニッケル,イッテルビウム,およびチタンシリサイドを用いた金属Schottky障壁ソース/ドレインナノワイヤトランジスタ【Powered by NICT】

Metallic Schottky barrier source/drain nanowire transistors using low-temperature microwave annealed nickel, ytterbium, and titanium silicidation

著者 (6件)： Shih Chun-Hsing (Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Nantou 54561, Taiwan) ,  Huang Ming-Kun (Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Nantou 54561, Taiwan) ,  Tsai Jr-Jie (Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Nantou 54561, Taiwan) ,  Chen Yu-Hsuan (Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Nantou 54561, Taiwan) ,  Chen Yu-Hsuan (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Wu Wen-Fa (National Nano Device Laboratories, Hsinchu 30013, Taiwan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70  ページ： 272-278  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,マイクロ波アニールしたシリサイド化を用いた固有とドーパント偏析Schottkyバリア・ナノワイヤ・トランジスタの形成を示した。金属ソース/ドレインナノワイヤデバイスを作製に及ぼすマイクロ波アニーリングを適用することの健全な理解を得るために,三種の金属,ニッケル,イットリウム,チタン,Schottky障壁ソース/ドレインを形成するために利用した。シリサイド化だけでなく偏析に及ぼすマイクロ波アニーリングの影響は急速熱アニーリングを用いて得たものと比較することによって詳しく調べた。イットリウム基例のドレイン電流は200 400%から,マイクロ波電力に穏やかに依存するが,300%または400%の電力であるニッケル基ナノワイヤトランジスタを最適化するための最も適切であった。最大500%力は,固有またはドーパント偏析ナノワイヤデバイスのためのチタンシリサイドを形成するに必要である。相対的に,600°Cの温度はニッケルまたはイッテルビウムをナノワイヤソース/ドレインを形成するために必要であり,900°Cの温度が,チタンに基づくデバイスが必要である。実験結果は,マイクロ波アニーリングは良好な素子特性,CMOS技術の3D集積化のための有望な方法として役立つを確実にするために急速熱法に対する低温処理を提供することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *焼なまし ,  RTA【熱処理】 ,  *ケイ化物 ,  イットリウム ,  *ニッケル ,  *ナノワイヤ ,  *チタン ,  *イッテルビウム ,  高速度 ,  *トランジスタ ,  *マイクロ波 ,  偏析 ,  *Schottky障壁 ,  電力
準シソーラス用語： ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Schottky障壁 ,  マイクロ波アニーリング ,  ナノワイヤトランジスタ ,  金属シリサイド化 ,  ドーパント偏析

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  マイクロ波 ,  アニール ,  ニッケル ,  イッテルビウム ,  チタン ,  シリサイド ,  Schottky障壁 ,  ソース