文献

J-GLOBAL ID：201702251892217159   整理番号：17A1258630

無線SensArray HighTemp400ウエハを用いたCVDツールにおけるウエハ温度の測定【Powered by NICT】

Measuring the wafer temperature in CVD tools using the wireless SensArray HighTemp-400 wafer

著者 (8件)： Engelmann J. (KLA-Tencor GmbH, Dresden, Germany) ,  Chu D. (KLA-Tencor GmbH, Dresden, Germany) ,  Dupraz T. (KLA-Tencor GmbH, Dresden, Germany) ,  Haupt R. (KLA-Tencor GmbH, Dresden, Germany) ,  Hennesthal C. (GLOBALFOUNDRIES Module One LLC & Co. KG, Dresden, Germany) ,  Pflug H. (GLOBALFOUNDRIES Module One LLC & Co. KG, Dresden, Germany) ,  Jaschke V. (GLOBALFOUNDRIES Module One LLC & Co. KG, Dresden, Germany) ,  Stadel M. (GLOBALFOUNDRIES Module One LLC & Co. KG, Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MIPRO  ページ： 161-164  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 技術ノードが小さくなるので,CVDプロセスを用いた薄膜の堆積に影響を及ぼすパラメータの全ての側面を制御することが重要になってきている。ガス流れや温度のような物理的パラメータは,堆積速度と堆積した薄膜の品質/特性が大きく影響を受けることが知られている。蒸着速度と高品質膜のチャンバーマッチングへの良好なチャンバーを達成するためには,物理的パラメータを制御することが重要である。本論文では,SensArray HighTemp400ウエハを用いた条件のような実際の温度とプロセスの下で400°Cまでウエハ表面に及ぼす温度の無線測定を示した。このアプローチは,制御のための方法または薄膜堆積プロセスのためのウエハ表面上の温度のモニタリングを可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 堆積速度 ,  品質 ,  *薄膜 ,  気体流
準シソーラス用語： チャンバ ,  高品質 ,  蒸着速度 ,  *ワイヤレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 無線 ,  ウエハ ,  CVD ,  ツール