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J-GLOBAL ID：201702251906017749   整理番号：17A1717272

半導体欠陥による二次元エレクトロニクスの設計【Powered by NICT】

Engineering two-dimensional electronics by semiconductor defects

著者 (5件)： Wang Dan (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China) ,  Li Xian-Bin (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China) ,  Han Dong (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China) ,  Tian Wei Quan (College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Huxi Campus, Chongqing 401331, China) ,  Sun Hong-Bo (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China)
資料名： Nano Today  (Nano Today)
巻： 16  ページ： 30-45  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3114A  ISSN： 1748-0132  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)半導体は,そのユニークな電子特性により電子工学コミュニティからかなりの注目を集めている。特に,原子厚さにスケーリング半導体の固有の利点は,Mooreの法則の可能な拡張の可能性を高めた。2Dエレクトロニクスを達成するために,半導体欠陥物理と化学の完全な理解は,2D材料のその制御電気性能のために,合成とデバイスを官能化することが不可欠である。本レビューでは,まず,2D半導体であるナノエレクトロニクスとオプトエレクトロニクスのための重要な理由を説明した。第二に,固有欠陥または意図的な不純物は2D半導体,キャリア濃度とその導電性型のような電気的特性に影響を及ぼし,制御するか明らかにした。このセクションでは,欠陥とその導電性型のキャリアイオン化エネルギーを評価するために欠陥といくつかの最新の理論的方法の実験的画像を詳細に紹介した。第三に,典型的なデバイス実験は2D電子デバイスを官能化するための欠陥の直接的役割を実証したことを示した。さらに,一般的な欠陥のデータベースと現在一般的に利用される2次元半導体におけるそれらの電気的性質を参照のための要約した。最後に,2Dデバイスの欠陥工学の課題と可能性のある見通しを論じた。本論文では,新しい2Dエレクトロニクスを設計するための半導体欠陥からの重要な視点を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  データベース ,  導電性 ,  不純物 ,  イオン化ポテンシャル ,  *二次元 ,  電気特性 ,  画像 ,  *半導体 ,  官能化 ,  *電子技術 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 電子素子 ,  ナノエレクトロニクス ,  Mooreの法則 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 欠陥 ,  エレクトロニクス ,  設計