文献

J-GLOBAL ID：201702251967992198   整理番号：17A1727286

SiGeのバンド間トンネル効果の原子論的シミュレーション:合金散乱の影響【Powered by NICT】

Atomistic simulation of band-to-band tunneling in SiGe: Influence of alloy scattering

著者 (6件)： Park Hong-Hyun (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA) ,  Jin Seonghoon (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA) ,  Choi Woosung (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA) ,  Luisier Mathieu (Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Zurich, Switzerland) ,  Kim Jongchol (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Lee Keun-Ho (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 173-176  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGeランダム合金におけるバンド間トンネリング(BTBT)の原子論的シミュレーション結果を提示した。非平衡Green関数(NEGF)法を用いて種々のモル分率,結晶方位,電場強度のBTBT発生率を抽出した。結果は,合金散乱は,SiGe合金の間接BTBTで重要な役割を果たし,無視すべきでないことを示した。また,原子論的シミュレーションの結果に基づく解析BTBTモデルを改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電界強度 ,  *合金 ,  モル分率 ,  *散乱 ,  *トンネル効果 ,  結晶方位
準シソーラス用語： SiGe合金 ,  非平衡Green関数 ,  *原子論的シミュレーション ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  バンド間トンネル効果 ,  原子論的シミュレーション ,  合金 ,  散乱