Park Hong-Hyun について
Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA について
Jin Seonghoon について
Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA について
Choi Woosung について
Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA について
Luisier Mathieu について
Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Zurich, Switzerland について
Kim Jongchol について
Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea について
Lee Keun-Ho について
Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea について
IEEE Conference Proceedings について
電界強度 について
合金 について
モル分率 について
散乱 について
トンネル効果 について
結晶方位 について
SiGe合金 について
非平衡Green関数 について
原子論的シミュレーション について
シリコンゲルマニウム について
トランジスタ について
有機化合物の電気伝導 について
炭素とその化合物 について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
SiGe について
バンド間トンネル効果 について
原子論的シミュレーション について
合金 について
散乱 について