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J-GLOBAL ID：201702252001660256   整理番号：17A0876233

pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH₄ and B₂H₆ Precursors in 22 nm Node CMOS Technology

著者 (18件)： WANG Guilei (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  LUO Jun (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  LUO Jun (Univ. Chinese Acad. of Sci.) ,  LIU Jinbiao (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  YANG Tao (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  XU Yefeng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  LI Junfeng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  YIN Huaxiang (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  YIN Huaxiang (Univ. Chinese Acad. of Sci.) ,  YAN Jiang (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  ZHU Huilong (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  ZHAO Chao (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  ZHAO Chao (Univ. Chinese Acad. of Sci.) ,  YE Tianchun (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  YE Tianchun (Univ. Chinese Acad. of Sci.) ,  RADAMSON Henry H. (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.) ,  RADAMSON Henry H. (Univ. Chinese Acad. of Sci.) ,  RADAMSON Henry H. (KTH Royal Inst. of Technol.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:306 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： ALD ,  SiH4 ,  B2H6 ,  CMOS