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J-GLOBAL ID:201702252047112011   整理番号:17A1764192

スパッタ堆積膜におけるβ-タングステン形成に対する堆積速度,下地層,および基板の影響

Impact of deposition rate, underlayers, and substrates on β-tungsten formation in sputter deposited films
著者 (2件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 061516-061516-6  発行年: 2017年11月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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タングステンの準安定相であるβ-Wは,A15(Pm<span style=text-decoration:overline>3</span>n)構造のトポロジー的に密集した相であり,スピンホール効果を用いたスピントロニクスデバイスへの応用のために興味が持たれている。本研究では,析出速度およびチャンバ内に導入されたN<sub>2</sub>ガスおよびArスパッタリングガスの圧力の関数として,ガラス基板上へのβ-Wの堆積を研究した。堆積速度を増加させることによって堆積速度が増加するにつれて,β-Wの所与の画分を形成するのに必要なN<sub>2</sub>の圧力が増加した。所与の堆積速度に対するN<sub>2</sub>の圧力でのβ-Wの分率の変化は,Langmuir-Freundlich等温線に従い,以前の研究結果と一致した。下地層と基板のβ-W形成への影響を,ガラス基板に加えて23層の下地層と2種の単結晶基板を用いて,調べた。下地層はB,C,Mg,Al,Si,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,W,Fe<sub>19</sub>Ni<sub>81</sub>(パーマロイ)Co<sub>40</sub>Fe<sub>40</sub>B<sub>20</sub>,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, およびSiO<sub>2</sub>である。2枚の単結晶基板は,サファイア(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)とα-石英(SiO<sub>2</sub>)であった。このような多数の下層と基板の使用は,N<sub>2</sub>の存在下でβ-Wとα-Wの蒸着のための簡単な結合則を開発することを可能にした。金属結合固体上には,α-Wが形成され;共有結合またはイオン結合した固体上にβは-Wが形成された。酸化物下地層および基板の結晶性は,β-Wの形成に影響を及ぼさないことが分かった。結合則は,付着面へののN<sub>2</sub>の吸着に対する接着タイプの影響を反映していた。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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金属薄膜  ,  金属の結晶構造  ,  薄膜成長技術・装置 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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