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J-GLOBAL ID：201702252187366224   整理番号：17A1637509

GaNH EMTにおける多重トラップエネルギー状態:特性化とモデル化【Powered by NICT】

Multi-trap energy states in GaN HEMTs: Characterization and modeling

著者 (3件)： Syamal Binit (Globalfoundries Singapore Pte. Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D Street 2, Singapore 738406) ,  Zhou Xing (NOVITAS, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798) ,  Ben Chiah Siau (NOVITAS, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,AlGaN/GaNH EMTのGaNエネルギーバンドギャップにおける多重トラップエネルギー(MTE)レベルの存在は,コンダクタンス法と温度依存電流過渡測定に基づいて研究した。コンダクタンス法を用いて,単一トラップエネルギー(STE)モデルと比較して,MTEモデルは測定データと良い一致を示すことが分かった。完全オン状態ストレス条件下で温度依存電流過渡解析もGaNエネルギーバンドギャップにおけるトラップエネルギー状態の分布の存在を確認した。DCトラップモデルはMTEレベルの影響を捕捉するために拡張した。STEレベルでは,放出時間定数因子は,ドレイン電圧の増加とともに非常に急速に飽和した。しかし,MTEレベルと,時定数因子は増加を続け,そしてより高いドレインバイアスで飽和し,オン状態応力測定下での電流過渡分析で観察されたと同様な傾向を示した。MTEレベルDCトラップモデルを数値シミュレーションデータと良く一致し,このようにして,物理学に基づくモデルを正当化した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *多重化 ,  温度依存性 ,  電流 ,  シミュレーション ,  *キャラクタリゼーション ,  コンダクタンス ,  *モデリング ,  時定数 ,  *窒化ガリウム ,  応力測定 ,  バンドギャップ ,  過渡解析
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  ドレイン電圧 ,  オン状態 ,  *エネルギー状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： EMT ,  多重 ,  トラップ ,  エネルギー状態 ,  特性化 ,  モデル化