文献

J-GLOBAL ID：201702252189912166   整理番号：17A1254711

超薄状InGaAs-OI MOSトランジスタにおける電子移動度の歪に誘起された増加【Powered by NICT】

Strain-induced increase of electron mobility in ultra-thin InGaAs-OI MOS transistors

著者 (3件)： Krivec Sabina (Department of Electronics, Microelectronics, Computer and Intelligent Systems, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, HR-10000, Croatia) ,  Poljak Mirko (Department of Electronics, Microelectronics, Computer and Intelligent Systems, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, HR-10000, Croatia) ,  Suligoj Tomislav (Department of Electronics, Microelectronics, Computer and Intelligent Systems, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, HR-10000, Croatia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 136-139  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子移動度に及ぼす歪の影響は全ての関連する散乱機構を含む強束縛バンド構造シミュレーション,自己無撞着Schroedinger-Poissonおよび移動度シミュレーションを組み合わせることにより,超薄InGaAs-OIチャンネルで検討した。著者らのモデルは,歪誘起移動度の改善は,ボディ厚みのダウンスケーリングとともに増加し,強い反転における厚さ4nmのInGaAsチャネルにおける164%まで増加することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  バンド構造 ,  *トランジスタ ,  シミュレーション ,  *移動度
準シソーラス用語： ダウンスケーリング ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaAs ,  MOSトランジスタ ,  電子移動度 ,  誘起