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J-GLOBAL ID：201702252193098904   整理番号：17A1900450

二軸引張歪により誘起された2次元Mg₂C単分子層の金属-半導体転移【Powered by NICT】

Metal-semiconductor transition of two-dimensional Mg₂C monolayer induced by biaxial tensile strain

著者 (6件)： Meng Lingbiao (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China. [e-mail]) ,  Ni Shuang ,  Zhou Minjie ,  Zhang Yingjuan ,  Li Zhaoguo ,  Wu Weidong
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 47  ページ： 32086-32090  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいバンドトポロジーを持つ新しい二次元(2D)材料の設計基礎科学及び潜在的応用における大きな注目を集め続けている。,準平面六配位マグネシウムと六配位炭素を特徴とする特異な2D Mg₂C単分子層,金属から半導体への調整を報告した。システムを,密度汎関数理論を用いて研究した,電子構造計算と分子動力学シミュレーションを含む。自立状態では,Mg₂C単分子層は弱い金属として振舞うが,二軸引張歪を増加させることにより,徐々にギャップレス半金属と半導体に変調することができる。Mg₂C単分子層は優れた動的および熱的安定性を示し,また,2D Mg₂Cシステムの大域的最小,その実験的合成の実現可能性を示唆した。ユニークなバンド構造により,材料はオプトエレクトロニクスと電気機械への応用を見出すであろう。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 計算機シミュレーション ,  電子構造 ,  分子動力学 ,  *金属-半導体転移 ,  歪 ,  引張 ,  二次元 ,  単分子層 ,  *炭化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  密度汎関数法 ,  マグネシウム錯体 ,  位相幾何学 ,  配位結合 ,  平面構造 ,  半金属 ,  熱安定性 ,  動的安定性 ,  バンド構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  電気機械
準シソーラス用語： 電子構造計算 ,  分子動力学シミュレーション ,  引張歪 ,  *炭化マグネシウム ,  密度汎関数理論 ,  トポロジー ,  熱的安定性

分類 (6件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  非遷移金属元素の錯体  (CE01030C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 二軸 ,  引張歪 ,  誘起 ,  2次元 ,  単分子層 ,  金属-半導体転移