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J-GLOBAL ID：201702252274984687   整理番号：17A0369738

p Si/n Zn_0.9Mg_0 1O/n ZnOヘテロ接合における電流輸送と深い準位【Powered by NICT】

Current transport and deep levels in p-Si/n-Zn_0.9Mg_0.1O/n-ZnO heterojunction

著者 (5件)： Paradowska K.M. (Department of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Placzek-Popko E. (Department of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Pietrzyk M.A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Gwozdz K. (Department of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Kozanecki A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 691  ページ： 946-951  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p nSi/Zn_0.9Mg_0 1O/n ZnOヘテロ接合(HJ)中の欠陥を調べるために実施した深準位過渡分光法(DLTS)測定について述べた。HJ構造は500°Cでp型Si(111)基板上に分子ビームエピタクシー(MBE)法により成長させた。DLTS研究は,電流-電圧(I V)と容量-電圧(C V)測定によって先行されていた。I-V測定は,HJの整流挙動を示し,電流輸送の低順方向バイアス(0.6V以下)機構は再結合-トンネリング・によって支配されるが,大きい電圧空間電荷制限電流(SCLC)は電流輸送を支配することを示した。I-VおよびC-V測定はZn_0 9Mg_0 1O層におけるN_D=510~15cm~ 3のドナー濃度が得られた。この値は,アクセプタ濃度,Si基板におけるN_A=210~17cm~ 3よりも二桁である。したがって,空乏領域は,HJのZn_0 9Mg_0 1O側を中心とした拡張とDLTS信号はこの層とHJ界面でその起源を持つことを仮定した。20 400Kの温度範囲内で行ったDLTS測定は三電子トラップの存在を明らかにし,0.06eVの活性化エネルギーをそれぞれ,0.38eV,および0.39eVであった。後二者はZn_0 9Mg_0 1O層の欠陥に起因しているが,0.06eVの活性化エネルギーを持つ捕獲中心はZn_0 9Mg_0 1O層またはSiとの界面で位置していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *深い準位 ,  捕獲中心 ,  ドナー ,  *酸化亜鉛 ,  界面 ,  再結合 ,  深準位過渡分光法 ,  *ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  トンネル効果 ,  整流 ,  活性化エネルギー ,  空間電荷制限電流 ,  MBE成長
準シソーラス用語： *電流輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化亜鉛 ,  深準位過渡分光法 ,  電流輸送 ,  深い準位

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  電流輸送 ,  深い準位