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J-GLOBAL ID：201702252362447359   整理番号：17A1649711

TCAD方法論を用いたイオン感応性電界効果トランジスタのモデル化とシミュレーション【Powered by NICT】

Modeling and simulation of ion-sensitive field-effect transistor using TCAD methodology

著者 (5件)： Choksi Neel (Birla Institute of Technology and Science, Pilani, Rajasthan 333031, India) ,  Sewake Dewanshu (Birla Institute of Technology and Science, Pilani, Rajasthan 333031, India) ,  Sinha Soumendu (CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute, (CEERI), Pilani, Rajasthan 333031, India) ,  Mukhiya Ravindra (CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute, (CEERI), Pilani, Rajasthan 333031, India) ,  Sharma Rishi (CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute, (CEERI), Pilani, Rajasthan 333031, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEMENTech  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン感知電界効果トランジスタ(ISFET)化学的及び生化学的センシングのための用いることができる一般的な電位差測定センサである。Silvaco TCADツールを用いたISFETの電解質-絶縁体-半導体構造のモデル化を提示した。電解質領域と共に参照電極を解析的に計算した適切なパラメータをもつ半導体としてモデル化した。窒化ケイ素は,センシング膜として使用し,それは 57.143mV/pHの感度はpHセンシング応用で得られることが観察された。異なるセンシング膜厚の使用の効果も研究した。デバイスの感度はセンシング膜厚の増加とともに低下することが観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電解質 ,  絶縁体 ,  基準電極 ,  ISFET ,  センサ ,  *モデリング ,  電位差測定法 ,  *FET【トランジスタ】 ,  半導体 ,  窒化ケイ素 ,  生化学 ,  膜厚
準シソーラス用語： *イオン感応性FET ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： TCAD ,  方法論 ,  イオン感応性電界効果トランジスタ ,  モデル化 ,  シミュレーション