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J-GLOBAL ID:201702252436115077   整理番号:17A1823262

低線量透過型走査電子顕微鏡イメージングと最尤再構成を用いたグラフェン中の点欠陥の解析【Powered by NICT】

Analysis of Point Defects in Graphene Using Low Dose Scanning Transmission Electron Microscopy Imaging and Maximum Likelihood Reconstruction
著者 (4件):
資料名:
巻: 254  号: 11  ページ: ROMBUNNO.201700176  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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自立グラフェンは低電子エネルギーでの電子照射に対する顕著な回復力を示した。グラフェンにおける点欠陥は,しかし,ビームに駆動された動力学に支配される。これは点欠陥,通常高電子照射線量を必要とするの高分解能顕微鏡写真は,固有欠陥集団を表すかもしれないないことを意味する。ここでは,電子照射下で放出炭素原子によって形成された初期欠陥を捕捉し,非常に低線量および最尤アルゴリズムを介して頻繁に発生する欠陥のそれに続く再構成による画像診断。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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不純物・欠陥の電子構造  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体の格子欠陥 

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