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J-GLOBAL ID:201702252499148067   整理番号:17A0443944

硫黄-セレン傾斜太陽電池吸収体を達成するための経路としての化合物同時スパッタCu_2ZnSnS_4のセレンアニーリングへの実用的限界【Powered by NICT】

Practical limitations to selenium annealing of compound co-sputtered Cu2ZnSnS4 as a route to achieving sulfur-selenium graded solar cell absorbers
著者 (6件):
資料名:
巻: 623  ページ: 110-115  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Cu_2ZnSnS_4(CZTS)膜中の硫黄-セレン置換によるエネルギーバンドギャップ勾配を導入する技術としてセレンアニーリングの適合性を評価した。化合物同時スパッタしたCZTS前駆体を425°Cでセレン雰囲気中でアニールした,堆積したままあるいは短時間硫黄予備アニール後のいずれかであった。膜をRaman分光法とX線回折,及び二次イオン質量分析とエネルギー分散X線分光法により測定した元素種の空間分布により調べた。硫黄セレン勾配は堆積したままの前駆体で達成されていない。硫黄セレン勾配は予備アニール試料のアニーリングの初期段階で達成される,Cu_2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)形成はナトリウム分布と空間的に相関していることが分かった。これらの勾配はアニーリングの進行とともに失われる。セレン化はCZTSSe粒成長ではなく,硫黄のセレンの直接置換によって生じる。CZTSSe形成と高ナトリウム濃度の空間相関は,液相セレン化ナトリウムは,再結晶中のセレン取込を促進し,傾斜バンドギャップを確立する手段としてアニーリング段階中のCZTSSeのアニオン等級付けの実用性を制限することを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池 

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