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J-GLOBAL ID：201702252500187476   整理番号：17A1025932

信頼性,高温及び高出力ダイ接着相互接続のためのナノ多孔性銅の低温,有機物自由焼結【Powered by NICT】

Low-temperature, organics-free sintering of nanoporous copper for reliable, high-temperature and high-power die-attach interconnections

著者 (6件)： Mohan Kashyap (3D Systems Packaging Research Center, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA USA) ,  Shahane Ninad (3D Systems Packaging Research Center, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA USA) ,  Raj Pulugurtha Markondeya (3D Systems Packaging Research Center, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA USA) ,  Antoniou Antonia (Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology) ,  Smet Vanessa (3D Systems Packaging Research Center, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA USA) ,  Tummala Rao (3D Systems Packaging Research Center, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APEC 2017  ページ： 3083-3090  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノポーラスCuの低温膜焼結に基づく新しいダイアタッチ接合技術を実証した。ナノ多孔性Cu膜は,以下の利点とナノ焼成ペーストの安価な代替品として提案されている(i)電気化学的脱合金化による合成,標準リソグラフィープロセスと互換性(ii)有機物含有量は,排尿と腐食のリスクを最小化する焼結後および(iii)制御可能な物理的性質調整可能な初期ナノ構造と形態。最初の概念実証として,25~50nm特徴サイズと~60%の相対密度を持つナノ多孔性Cuの薄膜をCu-Si膜の脱合金化により合成した。ナノ多孔性Cu膜は,6~9MPaの適用圧力で5~15分間の200~250°Cの温度でバルクCuメタライゼーション上に焼結し,還元雰囲気であった。4.2kgfの最大せん断強度が達成され,破壊プロフィルの解析は,焼結継手を通過する破壊を示し,バルクCuへの強い金属結合を確認した。SEMにより観測された200°Cと250°C 15分で形成された接合部の断面積は85%の高い相対密度,焼結銅で初めて達成を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相互接続 ,  薄膜 ,  電気化学 ,  *低温 ,  *信頼性 ,  ナノ構造 ,  メタライゼーション ,  *有機物 ,  *高温 ,  形態 ,  ペースト ,  *銅 ,  *焼結 ,  相対密度
準シソーラス用語： *ナノポーラス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 圧粉,焼結  (WC02030X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高出力 ,  ダイ ,  相互接続 ,  ナノ多孔性 ,  銅 ,  低温 ,  有機物 ,  焼結